NAND tabanlı depolama cihazlarında lider konumda bulunan Samsung, bu alandaki liderliğini korumak adına sürekli olarak yenilikler yapmak zorunda. Ancak, rakiplerinin güçlenmesiyle rekabet de giderek artıyor. Samsung’un ezeli rakibi SK Hynix, 321 katmanlı NAND teknolojisini önümüzdeki yılın başlarında piyasaya sürmeyi planlarken, Çinli flash bellek uzmanı Yangtze Memory Technologies ise bu yılın sonlarında 300 katmanlı yongaları piyasaya sürmeyi hedefliyor.
Samsung, V9 NAND yongalarının lansmanıyla birlikte gelecekteki adımlarını da planlamaya başladı. Sektör uzmanları, önümüzdeki yıl 430 katmanlı 10. nesil (V10) NAND yongalarının tanıtılmasının beklendiğini belirtiyor. V9’un aksine, V10 yongaları üçlü yığın teknolojisini kullanacak.
Bu hamle, yapay zeka çağında yüksek performanslı ve büyük kapasiteli depolama cihazlarına olan talebin artmasıyla paralel bir şekilde gerçekleşiyor. Yüksek yoğunluklu NAND yongaları, bu talebi karşılamakla kalmayıp aynı zamanda 5G akıllı telefonların yeteneklerini de artırıyor.
Korea Economic Daily’nin aktardığına göre, büyük yonga üreticileri maliyetleri düşürmek ve performansı artırmak amacıyla gelişmiş yonga yığınlama teknolojisi üzerinde yoğun bir rekabet içindeler. Ayrıca, Samsung’un 2030 yılına kadar 1.000’den fazla katmanlı NAND çipi geliştirmeyi planladığı belirtiliyor.
Samsung’un bu yenilikçi adımları, depolama teknolojilerindeki sınırları zorlamaya ve geleceğin ihtiyaçlarına yönelik çözümler sunmaya devam ediyor.
